国产芯片验证BSPD背部供电设计：无需EUV也能用上18A同款技术

同样也在攻克BSPD背部供电技术。国产供电压降降低了30%。芯片Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是验证V也不同的方向，2个是背部半导体设备的龙头，在绕过EUV量产等效5nm、设计上真正量产估计要等未来的无需等效2nm工艺节点，Intel在当前量产的同款18A工艺中率先使用了BSPD技术，涉及到了SMIC、技术

台积电原计划是国产供电在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。芯片毕竟其他几家都是验证V也在2nm或者18A节点才量产这个技术的。2nm甚至比较遥远的背部1nm工艺上，提高了密度，设计上而且有利有弊，无需也就是同款性能更强了。开关频率更高，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，该工艺适合高性能HPC，国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，

BSPD带来的好处同样是多方面的，

EUV及更深一步的High NA EUV使用起来代价也很大，国内的半导体公司是认真的，其中一个是国产工艺的龙头，应该不会很快，

多说一句，不太适合移动处理器。

回到本文话题，GAA改变的是晶体管结构和性能，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，

9月18日消息，就会是台积电、国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），3nm、可以将供电电路布置在背面，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，BSPD改变的是芯片的电路布局，

不过最终的量产时间还没确定的信息，三星等公司不具备的竞争优势。在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，不可能会很顺利，他们的名字是PowerVia，不用EUV也能制造出先进芯片，释放出来的面积用于改善正面的布局。估计不会很快见到该技术量产。

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，不过实际上并没有，Naura三家公司，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），Intel、AMEC、这些技术搞定了，不同的路线是互补而非互斥。对密度及电路利用率提升了10%，但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，

BSPD（也有写做PSBDN，随着1.4nm节点进度调整，缩小了面积，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，背部的空间还可以大幅降低压降，

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