8月31日消息，士考生产占比极高，虑将M裸关于将 HBM4E 基础裸片的部分生产委托给英特尔一事，减少对单一代工厂的依赖。建立多供应商体系、SK海力士一直采用内部产线生产基底芯片。并未进行相关探讨。已高达SK海力士自身10nm级第五代工艺所产核心芯片的3至4倍。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始逐步推进。
业内分析指出，
在HBM3E及此前世代，这一成本负担将进一步加重。然而，
对此，
若英特尔成功加入供应链，SK海力士短期内难以将代工成本上涨直接转嫁至终端售价。这或将为HBM生态链的多元化发展打开新窗口。”
SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）的生产交由英特尔代工，目前量产中的HBM4基础裸片采用台积电12纳米级工艺。由于HBM产品多采用长期供货合同（LTA）模式，台积电代工的基础裸片价格，SK海力士回应：“我司难以确认技术路线图的具体内容；此外，与此同时，
SK海力士目前正积极评估台积电CoWoS-S、SK海力士不仅有望降低单位成本、CoWoS-L及英特尔EMIB等多种封装方案，
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