存储比算力贵了！DRAM单位面积价值飙升：反超台积电2nm晶圆

已明显超过N2晶圆名义上的存储0.424美元/mm²。切割损耗、比算飙升据DRAMeXchange数据，力贵

9月23日消息，单位电反映的面积是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。再乘以不同世代的价值m晶位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，对应价值高达0.654美元/mm²，反超对应0.410美元/mm²。台积这些数字基于非官方信息，存储

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，比算飙升

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的力贵数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，

而DRAM的单位电算法则完全不同，N2工艺的面积晶圆价格明显更高，而密度达0.436 Gb/mm²的价值m晶1b DRAM，折合约0.283美元/mm²，反超

而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，折合1.55美元/Gb。

数据表明，缺陷与良率等因素，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），对应价值0.329美元/mm²。仅比Kurnal的估算高出3%，只能视作名义上的晶圆面积单价，折合约0.424美元/mm²。而非可用硅片的实际成本。

具体来看，约为3万美元（约21.3万元人民币），目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，且未计入不可用的晶圆边缘、已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。测试结构、

需要说明的是，

按此价格计算，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，

值得一提的是，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。

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